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第三代半导体是以氮化镓和碳化硅为代表的宽禁带半导体材料。“代、第二代半导体技术在光电子、电力电子和射频微波等领域器件性能的已经逼近材料的物理极限,难以支撑新一代信息技术的可发展,难以应对能源与面临的严峻挑战,难以高新技术及其产业发展,迫切需要发展新一代半导体技术。”科学院院士、南京大学教授郑有炓在发布会上说。女孩凌晨睡觉接到陌生:帮我开下门人间世间,不过是那个美国胖子的模样财经一汽技术中心被分拆吉利、北汽连夜北上
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